[인상깊은 문구]반도체 제대로 이해하기

반도체 제대로 이해하기

강구창 지음

출판사: 지성사

2005년 10월 20일 초판 1쇄 발행

2007년 5월 31일 초판 3쇄 발행

P30 ~ P33. 순방향 바이어스(Forward Bias), 전류가 흐른다. 역방향 바이어스(Reverse Bias), 전류가 흐르지 않는다. 왜냐하면 공핍층(Depletion Layer)이 생기기 때문이다.

P34. 1947년 윌리엄 쇼클리(William Shockley), 존 바딘(John Bardeen)과 월터 브래튼(Walter Brattain)이 세계 최초로 발명해 냈다.

P35 ~ P36. 트랜지스터 변천사: 바이폴라 트랜지스터(Bipoar Transistor) -> JFET(Junction FET) -> PMOS -> NMOS -> CMOS

P43. Å ‘웅스트롱’이라 읽으며 0.1 나노미터를 나타낸다.

P44. ‘비트 (b, bit),’ ‘바이트 (B, byte)’ => 시스템에서 사용하는 단위 = byte but 반도체에서 사용하는 단위 = bit.

P50. MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)

P56 ~ P57.

 NMOS에는 소스, 드레인, 게이트, 서브스트레이트 등 네개의 전극이 존재한다. 기호는 아래와 같다. 서브스트레이트(Substrate)는 보통 접지 전압인 0V를 연결하기 때문에 그리지 않는다.

P64. NMOS는 V_GS  V_T이면 온(ON)되고, V_GS < V_T이면 오프 된다. ( V_T > 0 )

P60. 전원 = VDD, Vdd, VCC, Vcc로 표시, 접지 = VSS, Vss, GND, gnd로 표시

P68. CMOS 기술 => PMOS는 동작 속도가 늦다, NMOS는 전류 소모가 큰 단점.

NMOS를 위해 사용한 p-type 웨이퍼 위에 n-type의 n-well이라는 커다란 우물(well)을 파고 그 위에 PMOS를 띄워 놓은 것.

P72. PMOS는 V_GS  V_T이면 온(ON)되고, V_GS > V_T이면 오프 된다. ( V_T < 0 )

P96. 포토 레지스트(PR)는 빛을 받으면 물러져 녹아 없어지는 포지티브 PR과 반대로 빛을 받으면 단단하게 굳어지는 네거티브 PR이 있다.

P144.

항목	조건
MOS ON 조건	|VGS| > |VT|
MOS에 전류가 흐를 조건	|VGS| > |VT| 이고 |VDS|>0일 때
|IDS|가 커질 조건	|VGS|, |VDS|가 커질수록, W/L 비율이 커질수록
MOS 전기적 특성

P151. CMOS란 PMOS와 NMOS를 모두 사용하여 서로 반대로(Complementary)동작한다는 뜻이다. 즉 PMOS가 온 될 때 NMOS는 오프되고, PMOS가 오프 될 때 NMOS는 온 된다.

P154 ~ P160.

PMOS Gate = High이면 OFF
PMOS Gate = Low이면 ON	입력(H)->출력(H), 입력(L)->출력(l)
NMOS Gate = Hight이면 ON
NMOS Gate = Low이면 OFF	입력(H)->출력(h), 입력(L)->출력(L)

P189. Edge Trigger일 때 symbol에 삼각형으로 나타낸다.